檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "氮化鎵".ckeyword (精準) and year="97"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本論文研究主要是應用高溫爐法，以鎵金屬及氨氣做為鎵與氮的來源，於鍍金的矽基板上成長氮化鎵奈米線。在實驗參數設計上，則藉由控制基板的位置、鎵源的汽化溫度，來改變提供鎵源的量，同時由不同的反應氣體流量與…
2
InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV （GaN）調變至0.7eV （InN），其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜，所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
3
近年來，發藍光的LED 已是目前最重要的光電元件，由於GaN材料製程上的進步，使得藍光GaN/GaInN 發光二極體研製成功，III族氮化物材料已經逐漸成為半導體領域中一顆耀眼的新星。III族氮化物…
4
近年來氮化鎵材料已成為製作藍光發光二極體的主流且快速的發展。另一方面，自從氮化銦能隙更正後，發現以能隙為紫外光波長的氮化鎵(3.4eV)與紅外光波長的氮化銦(0.7eV)組成的氮化銦鎵，能組合成幾乎…
5
本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統，將氮源由傳統MOCVD製程中所使用的氨氣(NH3)改為第三丁基聯胺(i-butylhydrazine, TBHy)，來與三甲基鎵(trimethyl…